Φούρνος επικάλυψης CVD από καρβίδιο του πυριτίου για την ανάπτυξη ημιαγωγών epi

Video Description:
Discover the HTCVD Silicon Carbide CVD SIC Epitaxy Growth Furnace, designed for high-performance semiconductor epi growth. Featuring multiple temperature control zones, this furnace ensures uniform coating and rapid deposition rates up to 50 microns per hour. Ideal for carbon-based and ceramic-based materials, it’s engineered for efficiency and precision in semiconductor manufacturing.
Σχετικά βίντεο

6MPA 5518 Φούρνος συντριβής υπό πίεση αερίου υπό κενό

Φούρνος ΙΣΧΙΩΝ πυροσυσσωματώματος
April 07, 2025